K4A4G165WG-BCWE
Samsung Electronics Co., Ltd.
DRAM память, объёмом 4.295 Гбит . Напряжение питания: 1.14...1.26 В . Рабочая температура: 0...95 °C .
развернуть ▼ свернуть ▲ 
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | — | |
|---|---|---|
| Тип памяти |  | |
| Подтип памяти |  | |
| Объём памяти |  | |
| Напряжение питания |  | |
| Рабочая температура |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.