2SB1123
2SB1123
PNP-Silicon General use Transistors
1W 、1.5A、25V
4
1
Applications:Can be used for switching and amplifying in various
2
3
SOT-89
electrical and electronic circuit.
Maximum ratings
Parameters
Symbol
Rating
Collector-emitter voltage (IB=0)
VCEO
25
Unit
V
Collector-base voltage(IE=0)
VCBO
40
V
Emitter-base voltage(IC=0)
VEBO
6
V
IC
1.5
A
Ptot
1
W
Junctio...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | — | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на 2SB1123
Microsoft Word - H8550_2015_英文版doc.doc
Дата модификации: 13.09.2016
Размер: 702 Кб
3 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.