2SB1132R

Shikues
2SB1132 PNP SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 32 V Emitter Base Voltage Collector Current - DC Collector Current - Pulse 1) -VEBO -IC -ICP 5 1 2 0.5 2 2) V A A W Total Power Dissipation Ptot Junction Temperature TJ 150 O TStg - 55 to...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ S8550-H (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ S8550-HQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ S9012-H (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ S8550 200-350 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ S9012 200-350 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ FHT8550G (FNR)
 
SOT-23-3
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
2SB1132 PNP SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 32 V Emitter Base Voltage Collector Current - DC Collector Current - Pulse 1) -VEBO -IC -ICP 5 1 2 0.5 2 2) V A A W Total Power Dissipation Ptot Junction Temperature TJ 150 O TStg - 55 to + 150 O Storage Temperature Range 1) 2) C C Single pulse, PW = 100 ms. When mounted on a 40 X 40 X 0.7 mm ceramic board. Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit hFE hFE hFE 82 120 180 - 180 270 390 - Collector Base Breakdown Voltage at -IC = 50 µA -V(BR)CBO 40 - - V Collector Emitter Breakdown Voltage at -IC = 1 mA -V(BR)CEO 32 - - V Emitter Base Breakdown Voltage at -IE = 50 µA -V(BR)EBO 5 - - V -ICBO - - 0.5 µA -IEBO - - 0.5 µA -VCE(sat) - - 0.5 V fT - 150 - MHz Cob - - 30 pF DC Current Gain at -VCE = 3 V, -IC = 100 mA Current Gain Group P Q R Collector Cutoff Current at -VCB = 20 V Emitter Cutoff Current at -VEB = 4 V Collector Emitter Saturation Voltage at -IC = 500 mA, -IB = 50 mA Transition Frequency at IE = 50 mA, -VCE = 5 V, f = 30 MHz Output Capacitance at -VCB = 10 V, f = 1 MHz REV.08 1 of 3 PDF
Документация на 2SB1132 

Microsoft Word - 2SB1132U

Дата модификации: 07.10.2011

Размер: 499.8 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-40 (YJ)