BAP64-03

Shikues
BAP64-03 Silicon PIN diode FEATURES • High voltage, current controlled • RF resistor for RF attenuators and switches • Low diode capacitance handbook, halfpage 1 2 • Low diode forward resistance • Low series inductance • For applications up to 3 GHz. 1 cathode Marking code: A3 APPLICATIONS 2 anode • RF attenuators and switches. Fig.1 Simplified outline (SOD323) and symbol. DESCRIPTIO...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD323
Рабочая температура
Ток прямой макс.
Напряжение обратное макс.
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
BAP64-03 Silicon PIN diode FEATURES • High voltage, current controlled • RF resistor for RF attenuators and switches • Low diode capacitance handbook, halfpage 1 2 • Low diode forward resistance • Low series inductance • For applications up to 3 GHz. 1 cathode Marking code: A3 APPLICATIONS 2 anode • RF attenuators and switches. Fig.1 Simplified outline (SOD323) and symbol. DESCRIPTION Planar PIN diode in a SOD323 very small plastic SMD package. LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VR continuous reverse voltage − 175 V IF continuous forward current − 100 mA Ptot total power dissipation − 500 mW Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj junction temperature −65 +150 °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER VF forward voltage IR reverse leakage current Cd rD diode capacitance diode forward resistance τL charge carrier life time LS series inductance Ts = 90 °C Tj = 25 °C unless otherwise specified. CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT IF = 50 mA − 0.95 1.1 V VR = 175 V − − 10 µA VR = 20 V − − 1 µA VR = 0; f = 1 MHz − 0.48 − pF VR = 1 V; f = 1 MHz − 0.35 --- pF VR = 20 V; f = 1 MHz − 0.23 0.35 pF IF = 0.5 mA; f = 100 MHz; note 1 − 20 40 Ω IF = 1 mA; f = 100 MHz; note 1 − 10 20 Ω IF = 10 mA; f = 100 MHz; note 1 − 2 3.8 Ω IF = 100 mA; f = 100 MHz; note 1 − 0.7 1.35 Ω when switched from IF = 10 mA to − IR = 6 mA; RL = 100 Ω; measured at IR = 3 mA 1.55 − µs − 1.68 − nH Note 1. Guaranteed on AQL basis: inspection level S4, AQL 1.0. THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-s REV.08 PARAMETER thermal resistance from junction to soldering point 1 of 3 VALUE UNIT 120 K/W PDF
Документация на BAP64-03 

DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE

Дата модификации: 23.04.2006

Размер: 381 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SFH 2401 (OSRAM)