BAR64-05W

Shikues
BAR64-05W GENERAL PURPOSE PIN DIODES • FEATURES ● Low diode capacitance ● Low diode forward resistance ● High voltage,current controlled ● RF resistor for RF attenuators and switches ● Low diode forward resistance ● For applications up to 3 GHz • MAXIMUM RATINGS @TA= 2s ·c Parameter Symbol Continuous Reverse Voltage Limits Unit 150 V VR Forward Continuous Current IFM 100 mA Power...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Рабочая температура
Ток прямой макс.
Напряжение обратное макс.
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
BAR64-05W GENERAL PURPOSE PIN DIODES • FEATURES ● Low diode capacitance ● Low diode forward resistance ● High voltage,current controlled ● RF resistor for RF attenuators and switches ● Low diode forward resistance ● For applications up to 3 GHz • MAXIMUM RATINGS @TA= 2s ·c Parameter Symbol Continuous Reverse Voltage Limits Unit 150 V VR Forward Continuous Current IFM 100 mA Power Dissipation p 。 150 mW ROJA 85 ·c/W TJ, TsTG -55~150, -55 ~ 150 ·c Thermal Resistance Junction and Storage Temperature • ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 2s0c unless otherwise specified) Parameter Reverse Breakdown Voltage Symbol V18R) Conditions IR = 10 µA REV.08 IR Max Unit V 150 VR = 150 V. TA 25'C 50 nA VR = 150 V, T,.= 100'C 100 µA = Reverse Voltage Leakage Current Min Forward Voltage VF IF= 50 mA 1.10 V Diode Capacitance ct0, VR = 1V, f = 1MHz 0.50 pF Diode forward resistance rD IF=1mA , f=100MHz;note1 20 Ω 1 of 3 PDF
Документация на BAR64-05W 

Дата модификации: 18.09.2024

Размер: 1.38 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BAP50-03 (JSCJ)