BAW56

Shikues
Диод выпрямительный на напряжение до 70 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства Shikues (SHIKUES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LBAW56LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= BAW56 (JSCJ)
 

BAW56 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 45000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 0.2A, 70V V(RRM)
P= BAW56 (YJ)
 

BAW56 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAW56 (ANBON)
 

BAW56 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= BAW56 (DC)
 

BAW56 (ONS-FAIR) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 LS: 13 1 3 2 Сборка диодов быстрых
P= LMBD2836LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= L1SS181LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
沁 峙利 BAW56 SHI KUES Monolithic Dual Switching Diode Common Anode 氏-Free氏戊罕isAval尘le. e MAXIMUM RATINGS(EACH DIODE) Ratin Reverse Voltage Forward Current Peak Forward Surge Current 三：二 e THERMAL CHARACTERISTICS Characteristi c Total Device Dissipation FR- 5 Board (1) T• = 25 ° C erate above 25'C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, <21 T A= 25•c Derate above 25•c Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature e 二 :T l 印1...., Value 70 200 500 Unit Vdc mAdc mAdc Symbol p Max 225 Unit mW R也 p 1.8 556 300 rnwrc •cm mW S�mbol v. 1, 。 。 R...., T, , T .,. SOT- 23 mwrc 24 ·crw 417 ·c -55 to + 150 DEVICE MARKI NG I BAW56 = A1 e ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A= 25•c unless otherwise noted) (EACH DIODE) S mbol Characteristic OFF CHARACTERISTICS Reverse Breakdown Voltage (I<印11 = 100µAde) Reverse Voltage Leakage Current CV• = 25 Vdc, T, = 150 ° C) (VR = 70 Vdc) (V. = 70 Vdc, T, = 1so ° C) Diode Capacitance (VR = 0, f = 1.0 MHz) Forward Voltage (I F = 1.0 mAdc) (I, = 10 mAdc) (1, = 50 mAdc) (1, = 150 mAdc) Reverse Recovery T ime (I F = I• = 1O mAdc, IRt征c, = 1.0 mAdc) (Figure 1) R L = 1000 1. FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. REV.08 1 of 3 v,眩 IR c 。 V' t. Min Max Unit Vdc 70 30 2.5 50 2.0 715 855 1000 1250 6.0 µAde pF mVdc ns PDF
Документация на BAW56 

Дата модификации: 21.03.2019

Размер: 467.8 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)