SS16G

Shikues
Диод выпрямительный на напряжение до 60 В, ток до 1 А, с падением напряжения 700 мВ, производства Shikues (SHIKUES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SS16A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SM160A (LRC)
 
DO-214AC SMA — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SS16 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= SS16-A (ANBON)
 
DO214AC — — — — — —
P= SL16-A (ANBON)
 
DO214AC
 
 — — — — — — — — — — —
P= SS16 (DC)
 

SS16 (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 7500 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SS26A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= 10MQ060NPBF-SMA (KLS)
 
— в ленте 6000 шт — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
SS12G THRU SS120G Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Reverse Voltage - 20 to 200 V Forward Current - 1.0A PINNING Features • Metal silicon junction, majority carrier conduction • For surface mounted applications • Low power loss, high efficiency • High forward surge current capability • For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications DESCRIPTION PIN 1 Cathode 2 Anode 1 MECHANICAL DATA • Case: SMA • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 • Approx. Weight: 70mg / 0.0025oz 2 Top View Marking Code: SS12 ~ SS120 Simplified outline SMA and symbol Absolute Maximum Ratings and Electrical characteristics Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz resistive or inductive load, for capacitive load, derate by 20 % Symbols Parameter SS12 G SS14 G SS16 G SS18 G SS110 G SS112 G SS115 G SS120 G Units Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 20 40 60 80 100 120 150 200 V Maximum RMS voltage V RMS 14 28 42 56 70 84 105 140 V Maximum DC Blocking Voltage V DC 20 40 60 80 100 120 150 200 V Maximum Average Forward Rectified Current I F(AV) 1.0 A Peak Forward Surge Current,8.3ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) I FSM 25 A Max Instantaneous Forward Voltage at 1 A Maximum DC Reverse Current T a = 25°C at Rated DC Reverse Voltage T a =100°C Typical Junction Capacitance （1） Typical Thermal Resistance （2） Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range VF 0.55 0.2 5 80 110 0.90 V 0.1 2 mA pF RθJA 90 °C/W Tj -55 ~ +125 °C T stg -55 ~ +150 °C （1）Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C. （2）P.C.B. mounted with 2.0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper pad areas. REV.08 0.85 0.3 10 IR Cj 0.70 1 of 3 PDF
Документация на SS110G 

SMA-S-SS12~SS120-1A200V-28mil.cdr

Дата модификации: 27.03.2024

Размер: 197.2 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)