SS210BG

Диод выпрямительный на напряжение до 100 В, ток до 2 А, с падением напряжения 850 мВ, производства Shikues (SHIKUES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SS26A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SK210 (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS210-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SL110-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= SM1100A (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SS110 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 10 шт
 
P= SS110G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SS110 (JSCJ)
 
 
P= ES1B SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 10000 шт
 
P= EFM102 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= ES1D-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= SS310L SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS210A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SM2100A (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= SS210-A (ANBON)
 
DO214AC
P= SS210Q (YJ)
 
DO214AA
 

Файлы 1

показать свернуть
SS22BG THRU SS220BG Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Reverse Voltage - 20 to 200V Forward Current - 2.0A PINNING PIN FEATURES • Metal silicon junction, majority carrier conduction • For surface mounted applications • Low power loss, high efficiency • High forward surge current capability • For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 2 1 Top View Simplified outline SMB and symbol MECHANICAL DATA • Case : SMB • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 • A pprox. Weight : 0.055g / 0.002oz Absolute Maximum Ratings and Electrical characteristics Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz resistive or inductive load, for capacitive load, derate by 20 % Parameter Symbols SS22BG SS24BG SS26BG SS28BG SS210BG SS212BG SS215BG SS220BG Units Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 20 40 60 80 100 120 150 200 V Maximum RMS voltage V RMS 14 28 42 56 70 84 105 140 V Maximum DC Blocking Voltage V DC 20 40 60 80 100 120 150 200 V Maximum Average Forward Rectified Current I F(AV) Peak Forward Surge Current,8.3ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) I FSM A 2.0 55 45 A Max Instantaneous Forward Voltage at 2 A VF Maximum DC Reverse Current T a = 25°C T a =100°C IR 0.5 5 0.3 3 mA Typical Junction Capacitance(1) Cj 220 110 pF Typical Thermal Resistance (2) RθJA 60 °C/W Tj -55 ~ +125 °C T stg -55 ~ +150 °C at Rated DC Reverse Voltage Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range 0.55 0.70 (1)Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C (2)P.C.B. mounted with 2.0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper pad areas. REV.08 1 of 3 0.85 0.95 V PDF
Документация на SS210BG 

SMB-S-SS22B~SS220B-2A200V-50mil

Дата модификации: 01.01.1970

Размер: 370.6 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.