SS320BG

Shikues
Диод выпрямительный на напряжение до 200 В, ток до 3 А, с падением напряжения 950 мВ, производства Shikues (SHIKUES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SK320 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= SL320-B (ANBON)
 
DO214AA — — — — — —
P= SS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS520B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SM3200C (LRC)
 
DO-214AB SMC
 
 — — — — —
P= SS315B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 —
P= SK315 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= SM3150B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
 — — — — —
P= SS315BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
 — — — — — — —
P= SS820 (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= ES3D SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 —
P= ES3D-C (ANBON)
 
DO214AB
 
 — — — — — — — — — — —
P= ES3DCG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
 — — — — — —
P= SM3150BF (LRC)
 
—
 
 — — — — —
P= SS515BQ (YJ)
 
DO214AA — Surface Mount Schottky Rectifier

Файлы 1

показать свернуть
SS32BG THRU SS320BG Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Reverse Voltage - 20 to 200 V Forward Current - 3 A PINNING FEATURES • Metal silicon junction, majority carrier conduction • For surface mounted applications • Low power loss, high efficiency • High forward surge current capability • For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications PIN DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 1 MECHANICAL DATA • Case: SMB • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 • A pprox. Weight: 95m g （0.0034oz） 2 Top View Marking Code: SS32 ~ SS320 Simplified outline SMB and symbol Maximum Ratings and Electrical characteristics Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60 Hz, resistive or inductive load, for capacitive load current derate by 20 %. Parameter Symbols SS32B G SS34B G SS36B G SS38B G SS310B G SS312B G SS315B G SS320B G Units Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 20 40 60 80 100 120 150 200 V Maximum RMS voltage V RMS 14 28 42 56 70 84 105 140 V Maximum DC Blocking Voltage V DC 20 40 60 80 100 120 150 200 V Maximum Average Forward Rectified Current I F(AV) 3.0 A Peak Forward Surge Current,8.3ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) I FSM 80 A Max Instantaneous Forward Voltage at 3 A VF Maximum DC Reverse Current T a = 25°C T a =100°C IR 0.5 5 0.3 3 mA Typical Junction Capacitance（1） Cj 450 400 pF Typical Thermal Resistance （2） RθJA 60 °C/W Tj -55 ~ +150 °C T stg -55 ~ +150 °C at Rated DC Reverse Voltage Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range 0.55 0.70 （1）Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C （2）P.C.B. mounted with 2.0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper pad areas. REV.08 1 of 3 0.85 0.95 V PDF
Документация на SS310BG 

SMB-S-SS32B~SS320B-3A200V-50mil

Дата модификации: 01.01.1970

Размер: 350.2 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)