SS36G

Shikues
Диод выпрямительный на напряжение до 60 В, ток до 3 А, с падением напряжения 700 мВ, производства Shikues (SHIKUES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SS36 (JSCJ)
 

SS36 (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — —
P= SM360A (LRC)
 
DO-214AC SMA — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SS36-A (ANBON)
 
DO214AC — — — — — —
P= SS36A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= B360A (HOTTECH)
 
— 1 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= SM350A (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
 — — — — —
P= SM360AF (LRC)
 
SMAFL
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
SS32G THRU SS320G Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Reverse Voltage - 20 to 200 V Forward Current - 3.0A PINNING PIN Features • Metal silicon junction, majority carrier conduction • For surface mounted applications • Low power loss, high efficiency • High forward surge current capability • For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 2 1 Top View Marking Code: SS32~SS320 Simplified outline SMA and symbol MECHANICAL DATA • Case: SMA • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 • Approx. Weight: 60mg / 0.0021oz Absolute Maximum Ratings and Electrical characteristics Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz resistive or inductive load, for capacitive load, derate by 20 % Symbols Parameter SS32G SS34G SS34AG SS36G SS38G SS310G SS312G SS315G SS320G Units Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 20 40 45 60 80 100 120 150 200 V Maximum RMS voltage V RMS 14 28 32 42 56 70 84 105 140 V Maximum DC Blocking Voltage V DC 20 40 45 60 80 100 120 150 200 V Maximum Average Forward Rectified Current I F(AV) 3.0 A Peak Forward Surge Current,8.3ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) I FSM 80 A Max Instantaneous Forward Voltage at 3 A Maximum DC Reverse Current T a = 25°C at Rated DC Reverse Voltage T a =100°C Typical Junction Capacitance （1） Typical Thermal Resistance （2） Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range VF 0.55 0.3 3 250 180 V mA pF RθJA 70 °C/W Tj -55 ~ +125 °C T stg -55 ~ +150 °C （1）Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C （2）P.C.B. mounted with 2.0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper pad areas. REV.08.1 0.95 0.85 0.5 5 IR Cj 0.70 1 of 3 PDF
Документация на SS310G 

TO-220F-3L-MOS-F7N65L-7A650V.CDR

Дата модификации: 01.11.2022

Размер: 379.8 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)