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SGT20T60SDM1P7

Silan
SGT20T60SDM1P7 说明书 士兰微电子 20、600V绝缘栅双极型晶体管 描述 C 2 SGT20T60SDM1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截 止（Field Stop）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应 1 G 用于 UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。 特点 3  20A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.7V@IC=20A  低导通损耗  快开关速度  高输入阻抗 E 1 23 TO-247-3L 命名规则 SGT 20 T 60 S D M 1 P7 士兰IGBT...
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Технические характеристики

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Корпус TO2473
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SGT20T60SDM1P7 说明书 士兰微电子 20、600V绝缘栅双极型晶体管 描述 C 2 SGT20T60SDM1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截 止（Field Stop）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应 1 G 用于 UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。 特点 3  20A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.7V@IC=20A  低导通损耗  快开关速度  高输入阻抗 E 1 23 TO-247-3L 命名规则 SGT 20 T 60 S D M 1 P7 士兰IGBT系列 封装形式,如 P7 : TO-247-3L F : TO-220F-3L等 电流规格,如: 70表示70A等 1,2,3… : 版本号 N : N沟平面栅 NE : N沟平面栅带ESD T : Field Stop 3和4 U : Field Stop 4+ V : Field Stop 5 W: Field Stop 6 X : Field Stop 7 空: 标准二极管（Standard M : 标准二极管、全电流规格（Standard Full R : 快速二极管（Rapid B : 快速二极管、全电流规格（Rapid Full S : 超软二极管、全电流规格（Soft Full D : 合封二极管 R : 集成二极管（RC IGBT） 电压规格 ，如: 65表示650V 120表示1200V等 L : 超低速，推荐频率~2KHz Q : 低速，推荐频率2~20K S : 标准，推荐频率5~40K F : 高速，推荐频率10~60K UF : 超高速，推荐频率40K~ 产品规格分类 产品名称 SGT20T60SDM1P7 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 TO-247-3L 20T60SDM1 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共9页 第1页 PDF
Документация на SGT20T60SDM1P7 

Subject:

Дата модификации: 22.08.2022

Размер: 519.7 Кб

9 стр.

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    DG10X06T1 (STARPWR)