1N4007G D1

SUNCO
Диод выпрямительный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, производства SUNCO (SUNCO)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
1N4001G THRU 1N4007G General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-204AL(DO-41) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, -compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT 1N4001G 1N4002G 1N4001G 1N4002G Device marking code 1N4003G 1N4004G 1N4005G 1N4006G 1N4003 G 1N4004 G 1N4005G 1N4006G 1N4007G 1N4007G Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 140 280 420 560 700 Maximum DC blocking Voltage VDC V 50 100 200 400 600 800 1000 Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =85℃ IF(AV) A Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ IFSM A 1.0 30 60 Current squared time @1ms≤t8.3≤ms Tj=25℃，Rating of per diode Typical junction capacitance @Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C I2t A2s 3.735 Cj pF 6 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IR μA Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode TEST CONDITIONS 1N4001G 1N4002G 1N4003G 1N4004G1N4005G 1N4006G 1N4007G IFM=1.0A 1.1 Tj =25℃ 2.5 Tj =125℃ 50 1/4 S-A016 Rev.2.2,30-Jan-21 Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd www.russiansunco.com PDF
Документация на 1N4002G D1 

Microsoft Word - 1N4001G THRU 1N4007G

Дата модификации: 12.03.2025

Размер: 673.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1206-B2100 (BOURNS)