1N4937G D1

SUNCO
Диод выпрямительный на напряжение до 600 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.2 В, производства SUNCO (SUNCO)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO41
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4937 (DC)
 

1N4937 (DIODES) 		DO41 в ленте 2500 шт — — — — — —
P= 1N4937 (YJ)
 

1N4937 (DIODES) 		DO41 в ленте 50 шт
 
 — — — — — Rectifier Diode, 1A, 600V V(RRM)
P= 1N4937 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт — — — — — —
P= 1N4937G (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-204AL

Файлы 1

показать свернуть
1N4933G THRU 1N4937G Fast Recovery Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Mechanical Data ● Package: DO-204AL(DO-41) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, -compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code 1N4933G 1N4934G 1N4935G 1N4936G 1N4937G 1N4933G 1N4934G 1N4935G 1N4936G 1N4937G Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 140 280 420 Maximum DC blocking Voltage VDC V 50 100 200 400 600 Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta=75℃ IF(AV) A IFSM A Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) 1.0 30 60 @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t8.3≤ms Tj=25℃，Rating of per diode Typical junction capacitance @Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C I2t A2s 3.735 Cj pF 10 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER 1N4933G 1N4934G 1N4935G SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=1.0A 1.2 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode Tj =25℃ 2.5 IR μA Tj =125℃ 100 Maximum reverse recovery time trr IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 150 ns 1N4936G 1N4937G 1/4 S-A023 Rev. 2.2, 30-Jan-21 Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd www.russiansunco.com PDF
Документация на 1N4937G D1 

Microsoft Word - 1N4933G THRU 1N4937G

Дата модификации: 12.03.2025

Размер: 741.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)