1N5408G D1

SUNCO
Диод выпрямительный на напряжение до 1000 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.1 В, производства SUNCO (SUNCO)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO201AD
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N5407 (DC)
 

1N5407 (ONS-FAIR) 		DO201AA в ленте 500 шт Выпрямительный диод - [DO-201AE]; Uобр: 800 В; Uпрям: 1.1 В; Iпрям: 3 А; N: 1 — — — — — — —
P= 1N5408G (YJ)
 
DO201AD в ленте 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD
P- 1N5408G (TSC)
 
DO201AD 1250 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD
P- 1N5408 (YJ)
 

1N5408 (DIODES) 		DO201AD 250 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM)

Файлы 1

показать свернуть
1N5400G THRU 1N5408G General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Data ● Package:DO-201AD(DO-27) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, -compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT 1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G 1N5408G 1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G 1N5408G Device marking code Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 140 280 420 560 700 Maximum DC blocking Voltage VDC V 50 100 200 400 600 800 1000 IF(AV) A IFSM A Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =70℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ 3.0 200 400 Current squared time @1ms≤t8.3≤ms Tj=25℃，Rating of per diode Typical junction capacitance @Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C I2t A2s 166 Cj pF 40 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA TEST CONDITIONS 1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G 1N5408G IF=3.0A 1.0 Tj =25℃ 2.5 Tj =125℃ 100 1/4 S-A029 Rev.2.3,30-Jan-21 Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd www.russiansunco.com PDF
Документация на 1N5404G D1 

Microsoft Word - 1N5400G THRU 1N5408G

Дата модификации: 12.03.2025

Размер: 668.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)