DF10S

SUNCO
DF005S THRU DF10S Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Glass passivated chip junction ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballast, adapter, battery charger, home appliances, office e...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SMD4
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
DF005S THRU DF10S Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Glass passivated chip junction ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballast, adapter, battery charger, home appliances, office equipment, and telecommunication applications. Mechanical Data ● Package: DBS Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, -compliant, Halogen free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code DF005S DF01S DF02S DF04S DF06S DF08S DF10S DF005S DF01S DF02S DF04S DF06S DF08S DF10S Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 140 280 420 560 700 VDC V 50 100 200 400 600 800 1000 DF06S DF08S DF10S Maximum DC blocking Voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, R-load, Tc=134℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃, Rating of per diode IO A IFSM A I2t A2s 3.7 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~ +150 1.0 30 60 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA Typical junction capacitance Cj pF TEST CONDITIONS DF005S DF01S DF02S DF04S IFM=0.5A 1.0 Tj =25℃ 5 Tj =125℃ 100 Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C 12 1/4 S-S010 Rev. 2.2, 01-Jul-22 Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd www.russiansunco.com PDF
Документация на DF10S 

Microsoft Word - DB101S THRU DB107S

Дата модификации: 02.07.2025

Размер: 397.5 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 октября
    новость

    Поступление новой продукции от SUNCO: расширяем ассортимент выпрямительных компонентов и транзисторов

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) На склад КОМПЭЛ поступила новая партия популярных дискретных компонентов, выпускаемых компанией SUNCO – одним из крупнейших китайских производителей силовой дискретной продукции с полным циклом производства. Компания,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    YBS3010 (SUNCO)