SF58G D1

SUNCO
Диод выпрямительный на напряжение до 5 В, ток до 1.7 А, с падением напряжения 5 В, производства SUNCO (SUNCO)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO27
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
SF51G THRU SF58G Super Fast Recovery Rectifier Features ● Ultrafast reverse recovery time ● Low leakage current ● Low switching losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-201AD(DO-27) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SF51G SF52G SF53G SF54G SF55G SF56G SF57G SF58G SF51G SF52G SF53G SF54G SF55G SF56G SF57G SF58G Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 150 200 300 400 500 600 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 105 140 210 280 350 420 Maximum DC blocking Voltage VDC V 50 100 150 200 300 400 500 600 Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =60℃ IF(AV) A IFSM A Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ 5.0 150 Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ 250 Current squared time @1ms≤t8.3≤ms Tj=25℃，Rating of per diode I2t A2s Typical junction capacitance @Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C Cj pF Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 94 80 46 30 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=5.0A Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA Maximum reverse recovery time trr ns SF51G SF52G SF53G SF54G SF55G 0.95 SF56G SF57G 1.3 Tj =25℃ 2.5 Tj =125℃ 100 IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 35 1/4 S-A159 Rev.2.2, 30-Jan-21 Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd www.russiansunco.com SF58G 1.7 PDF
Документация на SF54G D1 

Microsoft Word - SF51G THRU SF58G

Дата модификации: 12.03.2025

Размер: 363.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1206-B2100 (BOURNS)