1KSMB30CA

Taiwan Semiconductor
1KSMB10A – 1KSMB100CA Taiwan Semiconductor 1000W, 10V - 100V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES ● ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Ideal for automated placement Glass passivated chip junction Excellent clamping capability Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 V to BV min Meets ISO 7637-2 (Pulse 1/2a/2b/3a/3b) Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
  Примечание: Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 25.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
P- 1KSMB30CAH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт — — —
A- 1.5KE30CA (DC)
 
DO201 в ленте 500 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 25.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
A- ESDCAN24-2BLY (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A- 1.5KE30CA (YJ)
 
DO201AE в ленте 1250 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 25.6V V(RWM), Bidirectional
A- P6SMB30CA (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 25.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- 1.5KE30C (DC)
 
— — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 24.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
A- PESD24VL2BT (YOUTAI)
 
— в ленте 160 шт
 
 — —
A- 1.5SMB30CA (JSCJ)
 
DO215AA
 
 — —
A- P6SMB30CA (TSC)
 
DO214AA 3000 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 25.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA

Файлы 1

показать свернуть
1KSMB10A – 1KSMB100CA Taiwan Semiconductor 1000W, 10V - 100V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES ● ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Ideal for automated placement Glass passivated chip junction Excellent clamping capability Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 V to BV min Meets ISO 7637-2 (Pulse 1/2a/2b/3a/3b) Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS ● ● ● ● PARAMETER VALUE UNIT VWM 8.55 - 85.50 V VBR (uni-directional) 9.5 - 105 V VBR (bi-directional) 9.5 - 105 V PPPSM 1,000 W TJ MAX 175 °C Package DO-214AA (SMB) Configuration Single die Switching mode power supply (SMPS) Adapters TV Monitor MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.110g (approximately) DO-214AA (SMB) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Non-repetitive peak impulse power dissipation with (1) 10/1000µs waveform Steady state power dissipation at TA = 25°C Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load for Uni-directional only (2) Forward Voltage @ IF = 50A for Uni-directional only Junction temperature SYMBOL VALUE UNIT PPK 1,000 W PD 5 W IFSM 100 A VF 3.5 / 5.0 V TJ -55 to +175 °C -55 to +175 °C Storage temperature TSTG Notes: 1. Non-repetitive current pulse per Fig.3 and derated above TA = 25°C per Fig.2 2. VF = 3.5V for devices of VBR ≦ 50V and VF = 5.0V max. for devices VBR > 50V Devices for Bipolar Applications 1. For Bidirectional use CA suffix 1 Version: I2102 PDF
Документация на 1KSMB27A 

Дата модификации: 05.03.2021

Размер: 447.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)