1N4004GHR1G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= UF4004 (TSC)
 

UF4004 (ONS-FAIR) 		DO204AL 5000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P- HER105 (YJ)
 

HER105 (DIODES) 		—
 
 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM)
P- HER105G (YJ)
 
DO41
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P- FR104G (YJ)
 
DO41
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon
P- 1N4004 (DC)
 

1N4004 (ONS-FAIR) 		DO41 1 шт Выпрямительный диод - [DO-41]; Uобр: 400 В; Uпрям: 1.1 В; Iпрям: 1 А; N: 1 — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41

Файлы 1

показать свернуть
1N4001G - 1N4007G Taiwan Semiconductor CREAT BY ART 1A, 50V - 1000V Glass Passivated Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - High current capability, Low VF - High reliability - High surge current capability - Low power loss, high efficiency - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-204AL (DO-41) DO-204AL (DO-41) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Part No. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Terminal: Pure tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 2 whisker test Weight: 0.33 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL 1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N 4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A VF 1.0 V Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 °C TJ=125 °C Typical junction capacitance (Note 2) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range IR 100 200 400 5 100 600 800 1000 V μA CJ 10 pF RθJA 80 °C/W TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C Note1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle Note2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1410021 Version: O15 PDF
Документация на 1N4001GHR0G 

1N4001G SERIES_O15.xls

Дата модификации: 06.05.2015

Размер: 167.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)