1N4148W-GRHG

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 150 мА , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-123
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
1N4148W-G Taiwan Semiconductor Small Signal Product High Speed SMD Switching Diode FEATURES - Fast switching device (trr<4.0ns) - Surface mount device type - Moisture sensitivity level 1 - Matte Tin (Sn) lead finish with Nickel (Ni) underplate - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 SOD-123 MECHANICAL DATA - Case: Bend lead SOD-123 small outline plastic package - Terminal: Matte tin plated, lead free, solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed - High temperature soldering guaranteed : 260°C/10s - Polarity: Indicated by cathode band - Weight: 10 ± 0.5 mg - Marking Code: T4 MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Power dissipation PD 350 mW DC blocking voltage VR 100 V Repetitive peak reverse voltage VRRM 100 V Work peak reverse voltage VRWM 100 V VR(RMS) 70 V IFRM 300 mA IO 150 mA IFSM 2.0 1.0 A RθJA 357 °C/W TJ , TSTG -65 to +150 °C RMS reverse voltage Repetitive peak forward current Mean forward current Non-repetitive peak forward surge current @ t=1 ms @ t=10 ms Thermal resistance (Junction to Ambient) (Note 1) Junction and storage temperature range PARAMETER Forward voltage MIN MAX - 0.715 - 0.855 - 1.000 IF=150mA - 1.250 VR=20V - 25 nA VR=75V - 2.5 μA - 30 μA - 50 μA SYMBOL IF=1.0mA IF=10mA IF=50mA Reverse leakage current VR=25V, TJ=150°C VF IR VR=75V, TJ=150°C Junction capacitance Reverse recovery time UNIT V VR=0, f=1.0MHz CJ - 2.0 pF (Note 2) trr - 4.0 ns Notes: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature Notes: 2. Test Conditions : IF=10mA, IR=10mA, RL=100Ω, IRR=1mA Version: D1601 PDF
Документация на 1N4148W-GRHG 

Дата модификации: 20.01.2016

Размер: 271.4 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    01 декабря
    новость

    Дискретные полупроводниковые решения от азиатских производителей для любых задач

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Дискретные компоненты – основа любой схемотехники. От правильно подобранных диодов, транзисторов и стабилитронов может зависеть надежность и эффективность всей системы. Сегодня рынок предлагает большой выбор дискретов,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)