1N5400R0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 50 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- 1N5400 (TSC)
 

1N5400 (ONS-FAIR) 		—
 
 — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
1N5400 thru 1N5408 Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Silicon Rectifiers FEATURES - High efficiency, Low VF - High current capability - High reliability - High surge current capability - Low power loss - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition DO-201AD MECHANICAL DATA Case: DO-201AD Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test Weight: 1.2 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (TA=25oC unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL 1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N 5400 5401 5402 5404 5406 5407 5408 UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 3 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 200 A Rating for fusing (t<8.3ms) I2 t 166 A2s Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @3A VF 1.0 V Maximum reverse current @ rated VR TJ=25oC o TJ=125 C Typical junction capacitance (Note 2) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range IR Cj 5 μA 100 50 pF O RθjA 40 TJ - 55 to +150 O C TSTG - 55 to +150 O C C/W Note1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle Note2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1406023 Version: F14 PDF
Документация на 1N5400R0 

1N5400 SERIES_F14.xls

Дата модификации: 23.06.2014

Размер: 175.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)