1N5404GR0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N5404G-KR0G (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD
P- 1N5404G (TSC)
 
DO201AD 1250 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD

Файлы 1

показать свернуть
1N5400G thru 1N5408G Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Glass Passivated Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - High current capability, Low VF - High reliability - High surge current capability - Low power loss, high efficiency - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-201AD DO-201AD Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Weight: 1.2 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) SYMBOL PARAMETER 1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N 5400G 5401G 5402G 5404G 5406G 5407G 5408G UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 3 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 125 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @3A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ Typical junction capacitance (Note 2) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range VF IR V 1.0 1.1 5 μA 100 Cj 25 RθjC RθjA 15 45 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C TSTG pF O C/W Note1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle Note2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1405021 Version: H14 PDF
Документация на 1N5401GR0G 

1N5400G SERIES_H14.xls

Дата модификации: 10.06.2014

Размер: 193.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)