1N5406G-KR0G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- 1N5406G (TSC)
 
DO201AD 1250 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD

Файлы 1

показать свернуть
4 1N5400G-K - 1N5408G-K Taiwan Semiconductor 3A, 50V - 1000V Glass Passivated Rectifier FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● ● Glass passivated chip junction High current capability, Low VF High reliability High surge current capability Low power loss, high efficiency Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF(AV) 3 A VRRM 50 - 1000 V IFSM 125 A TJ MAX 150 °C Package DO-201AD Configuration Single Die APPLICATIONS ● High frequency rectification ● Freewheeling application ● Switching mode converters and inverters in computer and telecommunication. MECHANICAL DATA ● Case: DO-201AD ● Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating ● Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) ● Terminal: Pure tin plated leads, solderable per J-STD-002 ● Meet JESD 201 class 1A whisker test ● Polarity: As marked ● Weight: 1.2 g (approximately) DO-201AD ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Marking code on the device Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage, total rms value Maximum DC blocking voltage Forward current Surge peak forward current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load per diode SYMBOL 1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5406 1N5407 1N5408 UNIT G-K G-K G-K G-K G-K G-K G-K 1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G 1N5408G VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V IF(AV) 3 A IFSM 125 A Junction temperature TJ - 55 to +150 °C Storage temperature TSTG - 55 to +150 °C 1 Version:B1705 PDF
Документация на 1N5400G-KB0G 

Дата модификации: 18.05.2017

Размер: 262.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)