1N5817

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 20 В, ток до 1 А, с падением напряжения 450 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO204AL
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N5817R0 (TSC)
 
— — — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P- 1N5817 A0G (TSC)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —
P- 1N5817 (YJ)
 

1N5817 (ONS-FAIR) 		DO41 1000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL

Файлы 1

показать свернуть
1N5817 – 1N5819 Taiwan Semiconductor 1A, 20V - 40V Schottky Barrier Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS AEC-Q101 qualified available Low forward voltage drop Guard ring for overvoltage protection High surge current capability RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS ● Switching mode power supply (SMPS) ● Adapters ● DC to DC converter PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 20 - 40 V IFSM 30 A TJ MAX 125 °C Package DO-204AL (DO-41) Configuration Single die MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-204AL (DO-41) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Pure tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.330g (approximately) DO-204AL (DO-41) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device 1N5817 1N5818 1N5819 1N5817 1N5818 1N5819 UNIT Repetitive peak reverse voltage VRRM 20 30 40 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 14 21 28 V Forward current Surge peak forward current, 8.3ms single half sine wave superimposed on rated load Critical rate of rise of off-state voltage IF 1 A IFSM 30 A dv/dt 10,000 V/µs Junction temperature TJ -55 to +125 °C Storage temperature TSTG -55 to +125 °C 1 Version: H2104 PDF
Документация на 1N5817 

Дата модификации: 16.04.2021

Размер: 382.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)