1N5818R0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 30 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N5818 (TSC)
 

1N5818 (ONS-FAIR) 		DO41 5000 шт — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P- 1N5818 (YJ)
 

1N5818 (ONS-FAIR) 		DO41 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-204AL

Файлы 1

показать свернуть
1N5817 thru 1N5819 Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Schottky Barrier Rectifier FEATURES - Low forward voltage drop - Guardring for overvoltage protection - High surge current capability - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-204AL (DO-41) DO-204AL (DO-41) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test, Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.33 gram (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL 1N5817 1N5818 1N5819 Unit Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 20 30 40 V Maximum RMS voltage VRMS 14 21 28 V Maximum DC blocking voltage VDC 20 30 40 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=100℃ Typical junction capacitance (Note 2) VF IR 0.45 0.55 1 10 0.60 V mA Cj 55 pF Voltage rate of change (Rated VR) dV/dt 10000 V/μs Typical thermal resistance RθJC RθJA 45 100 TJ - 55 to +125 O C - 55 to +125 O C Operating junction temperature range Storage temperature range TSTG O C/W Note 1: Pulse test with PW=300 μs, 1% duty cycle Note 2: Measure at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C. Document Number: D1307014 Version: F13 PDF
Документация на 1N5817R0G 

1N5817 SERIES_F13.xls

Дата модификации: 08.05.2014

Размер: 194.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)