Вход / Регистрация

1N5822R0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 40 В, ток до 3 А, с падением напряжения 525 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- 1N5822 (TSC)
 

1N5822 (ONS-FAIR) 		DO201AD 1250 шт — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD

Файлы 1

показать свернуть
1N5820 thru 1N5822 Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Schottky Barrier Rectifier FEATURES - Low forward voltage drop - Guardring for overvoltage protection - High surge current capability - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-201AD DO-201AD Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test, Polarity: Indicated by cathode band Weight: 1.10g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL 1N5820 1N5821 1N5822 UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 20 30 40 V Maximum RMS voltage VRMS 14 21 28 V Maximum DC blocking voltage VDC 20 30 40 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 3 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 70 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @3A VF TJ=25 ℃ TJ=100℃ IR Maximum reverse current @ rated VR Typical Junction Capacitance (Note 2) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range Cj 0.475 0.500 0.5 10 0.525 V mA 200 pF O RθJA 40 TJ - 55 to +125 O C TSTG - 55 to +125 O C C/W Note 1: Pulse test with PW=300 μs, 1% duty cycle Note 2: Measure at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C. Document Number: D1307015 Version: G13 PDF
Документация на 1N5820R0 

1N5820 SERIES_G13.xls

Дата модификации: 12.03.2014

Размер: 195.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)