1PGSMA4740HR3G

Taiwan Semiconductor
1PGSMA4740 - 1PGSMA200Z Taiwan Semiconductor 1W, 10V - 200V Surface Mount Silicon Zener Diode FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● Photo Glass passivated junction Ideal for automated placement Low inductance Typical IR less than 1μA above 11V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VZ 10 - ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение стабилизации
Ток стабилизации (макс)
Импеданс (макс)
Рабочая температура
Примечания
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i U стаб I стаб Z T раб Примечания Карточка
товара
P= 1SMA4740A (JSCJ)
 
DO214AC
 
P= SMA4740A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт

Файлы 1

показать свернуть
1PGSMA4740 - 1PGSMA200Z Taiwan Semiconductor 1W, 10V - 200V Surface Mount Silicon Zener Diode FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● Photo Glass passivated junction Ideal for automated placement Low inductance Typical IR less than 1μA above 11V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VZ 10 - 200 V Test current IZT 1.2 - 25 mA Ptot 1 W TJ MAX 175 °C APPLICATIONS Package DO-214AC (SMA) Configuration Single die ● For general purpose regulation and protection applications MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Part no. with suffix “H” means AEC-Q101 qualified Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.06g (approximately) DO-214AC (SMA) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT VF 1.2 V Ptot 1.25 W Total power dissipation at TA=75°C Ptot 1 W Junction temperature TJ -55 to +175 °C TSTG -55 to +175 °C SYMBOL LIMIT UNIT Junction-to-lead thermal resistance per diode RӨJL 29 °C/W Junction-to-ambient thermal resistance per diode RӨJA 120 °C/W Junction-to-case thermal resistance per diode RӨJC 31 °C/W Forward voltage @ IF=200mA Total power dissipation at TA=50°C, derate above 50°C (1) Storage temperature Note: 1. Mounted on 5mm x 5mm Cu pad test board THERMAL PERFORMANCE PARAMETER Thermal Performance Note: Units mounted on recommended PCB (5mm x 5mm Cu pad test board) 1 Version:A1707 PDF
Документация на 1PGSMA160ZHR3G 

Дата модификации: 24.07.2017

Размер: 345.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.