B0520LW RHG

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный Одиночный на напряжение до 20 В, ток до 500 мА, с падением напряжения 300 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- LMBR0520T1G (LRC)
 
SOD123 200 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.5A, 20V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
B0520LW,B0530W,B0540W Taiwan Semiconductor Small Signal Product Low VF SMD Schottky Barrier Diode FEATURES - Low power loss, high current capability, low VF - Surface mount device type - Moisture sensitivity level 1 - Matte Tin (Sn) lead finish with Nickel (Ni) under plate - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 SOD-123 MECHANICAL DATA - Case: Bend lead SOD-123 small outline plastic package - Terminal: Matte tin plated, lead free, solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed - High temperature soldering guaranteed : 260°C/10s - Polarity: Indicated by cathode band - Weight: 0.01 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Power Dissipation B0520LW PD B0530W B0540W 410 mW VRRM 20 30 40 Reverse Voltage VR 14 21 28 Mean Forward Current @ TL=100°C (Lead Temperature) IO Repetitive Peak Reverse Voltage UNIT V V 500 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (Note 1) IFSM 5.5 A Thermal Resistance (Junction to Ambient) RθJA 244 °C/W TJ , TSTG -55 to +125 °C (Note 2) Junction and Storage Temperature Range Notes: 1. Test Condition: 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load Notes: 2. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature PARAMETER Reverse Breakdown Voltage (Minimum Value) Forward Voltage (Maximum Value) SYMBOL IR=250μA IR=130μA V(BR) IR=20μA IF=100mA IF=500mA TJ = 25°C VF IF=1000mA VR = 10V Reverse Leakage Current (Maximum Value) VR = 15V VR = 20V TJ = 25°C IR VR = 30V VR = 0 V B0530W B0540W 20 - - - 30 - - - 40 0.300 0.375 - 0.385 0.430 0.510 - - 0.620 75 - - - 20 - 250 - 10 - 130 - - 20 - VR = 40V Junction Capacitance B0520LW f=1.0MHz CJ 170 UNIT V V μA pF Version: I1601 PDF
Документация на B0520LW RHG 

Дата модификации: 20.01.2016

Размер: 285.8 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.