BA159G-KR0G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.3 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-204AC DO-15
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- FR207 (KLS)
 
— в ленте 3000 шт — —
A- BA159GR0 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL

Файлы 1

показать свернуть
BA157G-K - BA159G-K Taiwan Semiconductor Glass Passivated Fast Recovery Rectifier FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● ● Glass passivated chip junction High current capability, Low VF High reliability High surge current capability Low power loss, high efficiency Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF(AV) 1 A VRRM 400 - 1000 V IFSM 30 A TJ MAX 150 °C Package DO-204AL (DO-41) Configuration Single Die APPLICATIONS ● ● ● ● Switching mode power supply (SMPS) Adapters TV Monitor MECHANICAL DATA ● Case: DO-204AL (DO-41) ● Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating ● Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) ● Terminal: Pure tin plated leads, solderable per J-STD-002 ● Meet JESD 201 class 1A whisker test ● Polarity: As marked ● Weight: 0.33 g (approximately) DO-204AL (DO-41) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Marking code on the device Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage, total rms value Maximum DC blocking voltage Forward current Surge peak forward current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load per diode Junction temperature Storage temperature SYMBOL BA157G-K BA158G-K BA159G-K UNIT BA157G BA158G BA159G VRRM 400 600 1000 V VR(RMS) 280 420 700 V VDC IF(AV) 400 600 1 1000 V A IFSM 30 A TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C 1 Version:A1701 PDF
Документация на BA158G-KR0G 

Дата модификации: 16.01.2017

Размер: 679 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)