BYG20JHR3G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 1.5 А, с падением напряжения 1.4 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BYG20JR3G (TSC)
 
— — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
BYG20D - BYG20J Taiwan Semiconductor CREAT BY ART 1.5A, 200V - 600V High Efficient Surface Mount Rectifiers FEATURES - Glass passivated junction chip - Ideal for automated placement - Fast switching for high efficiency - High surge current capability - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 DO-214AC (SMA) MECHANICAL DATA Case: DO-214AC (SMA) Molding compound: UL flammability classification rating 94V-0 Part No. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.064 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL BYG20D BYG20G BYG20J UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 200 400 600 V Maximum RMS voltage VRMS 140 280 420 V Maximum DC blocking voltage VDC 200 400 600 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1.5 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) Maximum reverse current @ rated VR IF=1.0A IF=1.5A TJ=25°C TJ=100°C Pulse energy in avalanche mode, non repetitive (Inductive load switch off ), L=120mH Maximum reverse recovery time (Note 2) Typical thermal resistance (Note 3) Operating junction temperature range Storage temperature range VF IR 1.3 1.4 1 10 V μA ERSM 20 mJ trr 75 ns RθJL 25 RθJA 100 TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C °C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Reverse recovery test conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Mount on PC board with 5mm x 5mm copper pads as heatsink. Document Number: DS_D0000075 Version: E15 PDF
Документация на BYG20DHR3G 

BYG20D SERIES_E15.xls

Дата модификации: 22.10.2015

Размер: 364.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)