BYG21M

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1.5 А, с падением напряжения 1.6 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AC sma
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Монтаж
  Примечание: Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- BYG23M (TSC)
 
DO-214AC SMA в ленте 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
BYG21M Taiwan Semiconductor 1.5A, 1000V Fast Avalanche Surface Mount Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Glass passivated chip junction Ideal for automated placement Fast switching for high efficiency High surge current capability Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS PARAMETER VALUE UNIT IF 1.5 A VRRM 1000 V IFSM 50 A TJ MAX 150 °C Package DO-214AC (SMA) Configuration Single die ● The superior avalanche capability of BYG21M is specially suited for free-wheeling, clamping, snubber, demagnetization in power supplies and other power switching applications. MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.064g (approximately) DO-214AC (SMA) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device BYG21M UNIT BYG21M Repetitive peak reverse voltage VRRM 1000 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 700 V IF 1.5 A IFSM 50 A ERSM 30 mJ TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C Forward current Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load Pulse energy in avalanche mode, non-repetitive (Inductive load switch off ), I(BR)R = 1.23A Junction temperature Storage temperature 1 Version: B2102 PDF
Документация на BYG21M 

Дата модификации: 04.03.2021

Размер: 373.3 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.