BYG21MHR3G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1.5 А, с падением напряжения 1.5 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
  Примечание: Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
BYG21M Taiwan Semiconductor CREAT BY ART 1.5A, 1000V Fast avalanche Surface Mount Rectifier FEATURES - Glass passivated junction chip - Ideal for automated placement - Fast switching for high efficiency - High surge current capability - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 TYPICAL APPLICATION DO-214AC (SMA) The superior avalanche capability of BYG21M is specially suited for free-wheeling, clamping, snubber, demagnetization in power supplies and other power switching applications. MECHANICAL DATA Case: DO-214AC (SMA) Molding compound: UL flammability classification rating 94V-0 Moisture sensitivity level (MSL): level 1, per J-STD-020 Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 64 mg (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL BYG21M UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1.5 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 50 A PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage IF=1A (Note 1) IF=1.5A VF TJ=25°C Maximum reverse current @ Rated VR TJ=100°C 1.6 V 1 IR TJ=125°C Pulse energy in avalanche mode, non repetitive (Inductive load switch off ) TA=25°C, I(BR)R =1.23A 1.5 10 μA 50 ERSM 30 mJ Maximum reverse recovery time (Note 2) trr 120 ns Typical junction capacitance (Note 3) CJ 13 pF RθJL 20 RθJA 70 TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range °C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Test conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0V Version: A1601 PDF
Документация на BYG21MHR3G 

BYG21M_A1601.xls

Дата модификации: 18.01.2016

Размер: 181.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)