BYG23ME3

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.7 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
BYG23M Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES High Efficient Surface Mount Rectifiers - Glass passivated junction chip. - Ideal for automated placement - Fast switching for high efficiency - High surge current capability - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition - AEC-Q101 available TYPICAL APPLICATION DO-214AC (SMA) The superior avalanche capability of BYG23M is specially suited for free-wheeling, clamping, snubbering, demagnetization in power supplies and other power switching applications. MECHANICAL DATA Case: DO-214AC (SMA) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.064 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (TA=25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL BYG23M UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 1000 V Maximum average forward rectified current (@TA=65°C) IF(AV) 1.5 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 50 A VF 1.7 V Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25°C TJ=100°C TJ=125°C Pulse energy in avalanche mode, non repetitive (Inductive load switch off ) TA=25℃, I(BR)R =1.23A 1 IR μA 15 50 ERSM 30 Maximum reverse recovery time (Note 2) trr 65 ns Typical junction capacitance (Note 3) CJ 15 pF RθJA 70 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range TSTG mJ O C/W Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0Volts. Document Number: DS_D1411087 Version: B14 PDF
Документация на BYG23ME3 

BYG23M_B14.xls

Дата модификации: 12.12.2014

Размер: 376.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)