ESH2DHR5G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 2 А, с падением напряжения 900 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
ESH2B - ESH2D Taiwan Semiconductor 2A, 100V - 200V Surface Mount Ultra Fast Rectifier FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● Glass passivated junction chip Ideal for automated placement Low profile package Ultra fast recovery time for high efficiency Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS ● ● ● ● PARAMETER VALUE UNIT IF(AV) 2 A VRRM 100 - 200 V IFSM 60 A TJ MAX 175 °C Package DO-214AA (SMB) Configuration Single Die Switching mode power supply (SMPS) Adapters Lighting application Converter MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Part no. with suffix “H” means AEC-Q101 qualified Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.09 g (approximately) DO-214AA (SMB) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device ESH2B ESH2C ESH2D ESH2B ESH2C ESH2D UNIT Repetitive peak reverse voltage VRRM 100 150 200 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 70 105 140 V Maximum DC blocking voltage VDC 100 150 200 V Forward current Surge peak forward current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load per diode Junction temperature IF(AV) 2 A IFSM 60 A TJ - 55 to +175 °C Storage temperature TSTG - 55 to +175 °C 1 Version:I1706 PDF
Документация на ESH2DHR5G 

Дата модификации: 14.06.2017

Размер: 422.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)