ESH2DR5G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 2 А, с падением напряжения 900 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
ESH2B thru ESH2D Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Surface Mount Ultra Fast Rectifiers - Glass passivated junction chip - Ideal for automated placement - Low profile package - Ultra fast recovery time for high efficiency - Moisture sensitivity: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA DO-214AA(SMB) Case：DO-214AA(SMB) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free, RoHS compliant Terminal：Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test Polarity：Indicated by cathode band Weight：0.09 gram (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL ESH2B ESH2C ESH2D UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 100 150 200 V Maximum RMS voltage VRMS 70 105 140 V Maximum DC blocking voltage VDC 100 150 200 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 2 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 60 A VF 0.90 V Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @2A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ IR 2 uA 50 Maximum reverse recovery time (Note 2) Trr 20 nS Typical junction capacitance (Note 3) Cj 25 pF RθJL RθJA 20 75 TJ - 55 to + 175 O C TSTG - 55 to + 175 O C Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range O C/W Note 1：Pulse test with PW=300u sec, 1% duty cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number：DS_D1309020 Version:E13 PDF
Документация на ESH2DR5G 

ESH2B SERIES_E13.xls

Дата модификации: 09.09.2013

Размер: 369.1 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)