HER108

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.45 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4007 (YJ)
 

1N4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= 1N4007GP (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= UF4007 (TSC)
 

UF4007 (ONS-FAIR)
DO204AL 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= FR107G (LRC)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= 1N4007 (DC)
 

1N4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 2500 шт
P= FR107GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= FR107G A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= HER108GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= 1N4007 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= 1N4007G (ANBON)
 
DO41
 
P= 1N4007G (LRC)
 
DO41
 
P= 1N4007G (DC)
 
DO41
 
P= 1N4007G (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= FR107 (TSC)
 
DO41 4000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= BA159GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= BA159 (DC)
 
DO41 в коробках 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]
P= FR107G (TSC)
 
DO204AL 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= UF4007G (LRC)
 
DO41
 
P= UF4007 (DC)
 

UF4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 2500 шт
P- HER108G (YJ)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P- HER108 (YJ)
 
DO41 1 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P- UF4007 A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P- UF4007R0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL

Файлы 1

показать свернуть
HER101 - HER108 CREAT BY ART Pb 1.0AMP High Efficient Rectifiers DO-41 RoHS COMPLIANCE Features High efficiency, Low VF High current capability High reliability High surge current capability Low power loss Green compound with suffix "G" on packing code & prefix "G" on datecode Mechanical Data Case: Molded plastic Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant Dimensions in inches and (millimeters) Marking Diagram Lead: Pure tin plated, lead free, solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed HER10X G = Specific Device Code = Green Compound Polarity: Color band denotes cathode Y = Year High temperature soldering guaranteed: 260℃/10s /.375", (9.5mm) lead lengths at 5 lbs, (2.3kg) tension WW = Work Week Weight: 0.34 grams Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating at 25 ℃ ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20% Symbo HER Type Number l 101 VRRM Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 50 HER 102 100 HER 103 200 HER 104 300 HER 105 400 HER 106 600 HER 107 800 HER 108 1000 Unit V Maximum RMS Voltage VRMS 35 70 140 210 280 420 560 700 V Maximum DC Blocking Voltage VDC 50 100 200 300 400 600 800 1000 V Maximum Average Forward Rectified Current .375 (9.5mm) Lead Length @ T A=55℃ IF(AV) 1 A Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sinewave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) IFSM 30 A Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) @1A Maximum Reverse Current @ Rated VR T A=25 ℃ T A=125 ℃ VF 1.0 1.3 V 1.7 5 IR uA 150 Maximum Reverse Recovery Time (Note 2) Trr 50 75 nS Typical Junction Capacitance (Note 3) Cj 25 20 pF Typical Thermal Resistance (Note 4) Operating Temperature Range Storage Temperature Range RθjA RθjC RθjL 70 15 25 TJ - 65 to + 150 O C TSTG - 65 to + 150 O C O Note 1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Note 4: Mount on Cu-Pad Size 16mm x 16mm on PCB Version:C10 C/W PDF
Документация на HER101 

Author: lckao

Дата модификации: 24.11.2011

Размер: 198.3 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.