HS1MALM3G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.7 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-220AA (SMP)
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- HS1MAL (TSC)
 
— 14000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
HS1DAL - HS1MAL Taiwan Semiconductor 1A, 200V-1000V High Efficient Surface Mount Rectifiers FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Glass passivated junction chip Ideal for automated placement Low power loss, high efficiency Fast switching for high efficiency Low profile package RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS PARAMETER VALUE UNIT IF(AV) 1 A VRRM 200-1000 V IFSM 35 A TJ MAX 150 °C Package Thin SMA Configuration Single Die ● Freewheeling application ● Switching mode converters and inverters, computer and telecommunication. MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● ● Case: Thin SMA Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Terminal: Pure tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.029 g (approximately) Thin SMA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL HS1DAL HS1GAL HS1JAL HS1KAL HS1MAL UNIT HS1DAL HS1GAL HS1JAL HS1KAL HS1MAL Marking code on the device Repetitive peak reverse voltage VRRM 200 400 600 800 1000 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 140 280 420 560 700 V Forward current Surge peak forward current, single half 8.3ms at TA = 25°C sine-wave superimposed on 1.0ms at TA = 25°C rated load per diode Junction temperature IF(AV) 1 A 35 A 90 A Storage temperature TJ -55 to +150 °C TSTG -55 to +150 °C IFSM 1 Version:C2004 PDF
Документация на HS1JALM3G 

Subject:

Дата модификации: 15.04.2020

Размер: 382.5 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    Yangjie – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания Yangjie осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)