Вход / Регистрация

MBR2045CTC0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 45 В, ток до 10 А, с падением напряжения 840 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- MBR2045CT (TSC)
 
TO220AB 50 шт
 
 — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB

Файлы 1

показать свернуть
MBR2035CT thru MBR20200CT Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Dual Common Cathode Schottky Rectifier - Low power loss, high efficiency - Guardring for overvoltage protection - High surge current capability - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition TO-220AB MECHANICAL DATA Case: TO-220AB Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test, with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Mounting torque: 5 in-lbs maximum Weight: 1.88 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR 2035 2045 2050 2060 2090 20100 20150 20200 CT CT CT CT CT CT CT CT MBR UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 35 45 50 60 90 100 150 200 V Maximum RMS voltage VRMS 24 31 35 42 63 70 105 140 V Maximum DC blocking voltage VDC 35 45 50 60 90 100 150 200 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 20 A Peak repetitive forward current (Rated VR, Square Wave, 20KHz) IFRM 20 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 150 A Peak repetitive reverse surge current (Note 1) IRRM Maximum instantaneous forward voltage (Note 2) IF=10A, TJ=25℃ IF=10A, TJ=125℃ IF=20A, TJ=25℃ IF=20A, TJ=125℃ Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ VF IR Voltage rate of change (Rated VR) dV/dt Typical thermal resistance RθJC Operating junction temperature range Storage temperature range 1 0.5 A - 0.80 0.85 0.99 0.57 0.70 0.75 0.87 0.84 0.95 0.95 1.23 0.72 0.85 0.85 1.10 V 0.1 10 15 5 0.15 10000 V/μs 2.0 1.0 mA O C/W TJ - 55 to +150 O C TSTG - 55 to +150 O C Note 1: tp = 2.0 μs, 1.0KHz Note 2: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Document Number: DS_D1308039 Version: L13 PDF
Документация на MBR20100CTC0G 

MBR2035CT SERIES_L13.xls

Дата модификации: 14.03.2014

Размер: 207.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)