MBR2545CT

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 45 В, ток до 12.5 А, с падением напряжения 820 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- MBR3045CT (TSC)
 

MBR3045CT (ONS-FAIR) 		TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB

Файлы 1

показать свернуть
MBR2535CT – MBR25150CT Taiwan Semiconductor 25A, 35V - 150V Schottky Barrier Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS AEC-Q101 qualified available Low power loss, high efficiency Guard ring for overvoltage protection High surge current capability RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS ● Switching mode power supply (SMPS) ● Adapters ● DC to DC converters PARAMETER VALUE UNIT IF 25 A VRRM 35 - 150 V IFSM 200 A TJ MAX 150 °C Package TO-220AB Configuration Dual dies MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● ● Case: TO-220AB Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Mounting torque: 0.56 N⋅m maximum Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 1.90g (approximately) TO-220AB ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR PARAMETER SYMBOL 2535 2545 2550 2560 2590 25100 25150 UNIT CT CT CT CT CT CT CT MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR Marking code on the device 2535 2545 2550 2560 2590 25100 25150 CT CT CT CT CT CT CT Repetitive peak reverse voltage VRRM 35 45 50 60 90 100 150 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 24 31 35 42 63 70 105 V Forward current IF 25 A Surge peak forward current, 8.3ms single half sine wave IFSM 200 A superimposed on rated load (1) Peak repetitive reverse surge current IRRM 1 0.5 A Peak repetitive forward current IFRM 25 A (Rated VR, Square wave, 20KHz) Critical rate of rise of off-state voltage dv/dt 10,000 V/μs Junction temperature TJ -55 to +150 °C Storage temperature TSTG -55 to +150 °C Notes: 1. tp = 2.0μs, 1.0KHz 1 Version: K2104 PDF
Документация на MBR2545CT 

Дата модификации: 05.05.2021

Размер: 551.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)