MBR3045PTC0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 45 В, ток до 15 А, с падением напряжения 820 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-247AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- MBR3045PT (TSC)
 

MBR3045PT (ONS-FAIR)
TO247AD 30 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-247AD

Файлы 1

показать свернуть
MBR3035PT thru MBR30200PT Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Dual Common Cathode Schottky Rectifier - Low power loss, high efficiency - Guardring for overvoltage protection - High surge current capability - UL Recognized File # E-326243 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition TO-247AD (TO-3P) MECHANICAL DATA Case: TO-247AD (TO-3P) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Mounting torque: 10 in-lbs maximum Weight: 6.1 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR SYMBOL 3035 3045 3050 3060 3090 30100 30150 30200 PT PT PT PT PT PT PT PT UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 35 45 50 60 90 100 150 200 V Maximum RMS voltage VRMS 24 31 35 42 63 70 105 140 V Maximum DC blocking voltage VDC 35 45 50 60 90 100 150 200 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 30 A Peak repetitive forward current (Rated VR, Square wave, 20KHz) IFRM 30 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 200 A Peak repetitive reverse surge Current (Note 1) IRRM Maximum instantaneous forward voltage (Note 2) IF=15A, TJ=25℃ IF=15A, TJ=125℃ IF=30A, TJ=25℃ IF=30A, TJ=125℃ Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ Voltage rate of change,(Rated VR) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range VF IR dV/dt 2 1 A - 0.75 0.85 0.95 1.05 0.60 0.65 0.75 0.92 - 0.82 - - 1.02 1.10 0.73 - - 0.98 - 1 20 0.5 15 0.1 10 10,000 V mA V/μs O RθJC 1.4 TJ - 55 to +150 O C TSTG - 55 to +150 O C C/W Note 1: 2.0μs Pulse Width, f=1.0KHz Note 2: Pulse Test : 300μs Pulse Width, 1% Duty Cycle Document Number: DS_D1309029 Version: J13 PDF
Документация на MBR30100PTC0 

MBR3035PT SERIES_J13.xls

Дата модификации: 03.02.2016

Размер: 395.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.