Вход / Регистрация

MBR6050PT

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 50 В, ток до 30 А, с падением напряжения 620 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, TO-247AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
MBR6035PT – MBR60100PT Taiwan Semiconductor 60A, 35V - 100V Schottky Barrier Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS AEC-Q101 qualified available Low power loss, high efficiency Guard ring for overvoltage protection High surge current capability UL Recognized File # E-326243 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS ● ● ● ● ● PARAMETER VALUE UNIT IF 60 A VRRM 35 - 100 V IFSM 420 A TJ MAX 150 °C Package TO-247AD (TO-3P) Configuration Dual dies Switching mode power supply (SMPS) Adapters Monitor DC to DC converters TV MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● ● Case: TO-247AD (TO-3P) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Mounting torque: 1.13 N⋅m maximum Polarity: As marked Weight: 6.10g (approximately) TO-247AD (TO-3P) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Marking code on the device Repetitive peak reverse voltage MBR MBR MBR MBR MBR MBR 6045 6050 6060 6090 60100 UNIT SYMBOL 6035 PT PT PT PT PT PT MBR MBR MBR MBR MBR MBR 6035PT 6045PT 6050PT 6060PT 6090PT 60100PT VRRM 35 45 50 60 90 100 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 24 31 Forward current Surge peak forward current 8.3ms single half sine wave superimposed on rated load Peak repetitive reverse surge (1) current Peak repetitive forward current (Rated VR, Square wave, 20KHz) Critical rate of rise of off-state voltage Notes: 1. tp = 2.0μs, 1.0KHz IF 60 A IFSM 420 A IRRM 1 A IFRM 60 A dV/dt 10,000 V/μs 1 35 42 63 70 V Version: H2103 PDF
Документация на MBR6050PT 

Дата модификации: 18.03.2021

Размер: 552.9 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)