MUR140SR5G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MUR140S (TSC)
 
DO214AA 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P- MURS140B (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA

Файлы 1

показать свернуть
MUR105S thru MUR160S Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - Ideal for automated placement - Ultrafast recovery time for high efficiency - Low forward voltage, low power loss - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-214AA (SMB) DO-214AA (SMB) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.09 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL MUR MUR MUR MUR MUR MUR 105S 110S 115S 120S 140S 160S Unit Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 150 200 400 600 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 105 140 280 420 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 150 200 400 600 V Maximum average forward rectified current IF(AV) Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 40 35 A VF 0.875 0.710 1.25 1.05 V Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @ 1 A, TJ=25℃ @ 1 A, TJ=150℃ Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=150 ℃ Maximum reverse recovery time (Note 2) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range IR Trr 1 A 2 5 50 150 25 50 μA ns O RθjL 17 TJ - 55 to +175 O C TSTG - 55 to +175 O C C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Document Number: DS_D1405061 Version: H14 PDF
Документация на MUR110SR5 

MUR105S SERIES_H14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 203.8 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.