MUR420R0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 4 А, с падением напряжения 890 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
MUR420 thru MUR460 Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Ultrafast Glass Passivated Rectifiers FEATURES - Ideally suited for use in very high frequency switching power supplies, inverters and as free wheeling diodes - Ultrafast recovery time for high efficiency - Excellent high temperature switching - Glass passivated junction - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-201AD DO-201AD Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Weight: 1.2 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL MUR420 MUR440 MUR460 UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 200 400 600 V Maximum RMS voltage VRMS 140 280 420 V Maximum DC blocking voltage VDC 200 400 600 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 4 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 125 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @4A VF 0.89 1.28 V IR 5 150 10 250 μA Maximum reverse recovery time (Note 2) Trr 25 50 ns Typical junction capacitance (Note 3) Cj Maximum reverse current @ rated VR Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ 65 pF O RθjA 28 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C TSTG C/W Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1405023 Version: G14 PDF
Документация на MUR420R0G 

MUR420 SERIES_G14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 370.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)