MUR420SR7G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 4 А, с падением напряжения 875 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
MUR420S thru MUR460S Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers FEATURES - Glass passivated junction - Ideal for automated placement - Built-in strain relief - Ultrafast recovery time for high efficiency - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition - AEC-Q101 qualified MECHANICAL DATA Case: DO-214AB (SMC) DO-214AB (SMC) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 2 whisker test Weight: 0.25 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25oC unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL MUR420S MUR440S MUR460S UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 200 400 600 V Maximum RMS voltage VRMS 140 280 420 V Maximum DC blocking voltage VDC 200 400 600 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 4 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 75 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @ 4 A, 25oC @ 4 A, 150oC VF 0.875 0.710 1.25 1.05 IR 5 150 10 250 μA Maximum reverse recovery time (Note 2) trr 25 50 ns Typical junction capacitance (Note 3) CJ 65 RθJC 8.5 RθJA 45 TJ - 55 to +175 O C - 55 to +175 O C Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 oC TJ=150 oC Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range TSTG V pF O C/W Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC Document Number: DS_D1410073 Version: B14 PDF
Документация на MUR420SR7G 

MUR420S SERIES_B14.xls

Дата модификации: 22.10.2014

Размер: 359.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)