Вход / Регистрация

RS1MLSRVG

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1.2 А, с падением напряжения 1.3 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-220AA (SMP)
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 1000V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RS1JLS thru RS1MLS Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Surface Mount Fast Recovery Rectifiers FEATURES - Ideal for automated placement - Compact package size - High surge current capability - Low power loss, high efficiency - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: SOD123HE SOD123HE Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.022g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25oC unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code RS1JLS RS1KLS RS1MLS RJLS RKLS RMLS UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1.2 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 50 A VF 1.3 V Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @ 1.2 A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 oC IR o TJ=125 C Maximum reverse recovery time (Note 2) Typical thermal resistance μA 150 trr 300 RθJC RθJA 26 80 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C Operating junction temperature range Storage temperature range 5 TSTG ns O C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Reverse recovery test condition: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Document Number: DS_D1407030 Version: C14 PDF
Документация на RS1JLSRVG 

RS1JLS SERIES_C14.xls

Дата модификации: 21.07.2014

Размер: 370.8 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    03 мая 2023
    новость

    Компоненты JSCJ для устройств быстрой зарядки – простая схемотехника и соответствие стандартам по ЭМС

    Соответствуя требованиям стремительно развивающегося рынка зарядных устройств и постоянно совершенствую свои технологии, компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) предлагает новые решения: выпрямляющие диоды, стабилитроны,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)