RS3MB-TR5G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.3 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AC DO-214AC (SMA)
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- S3MR7 (TSC)
 
— — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
RS3DB-T - RS3MB-T Taiwan Semiconductor 3A, 200V-1000V Fast Recovery Surface Mount Rectifier FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● Glass passivated junction chip Ideal for automated placement Low reverse leakage Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF 3 A VRRM 200-1000 V IFSM 80 A TJ MAX 150 °C Package DO-214AA (SMB) APPLICATIONS ● Switch Mode Power Supply ● Inverters and Converters ● Free Wheeling diodes MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 1 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.09 g (approximately) DO-214AA (SMB) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device RS3DB RS3GB RS3JB RS3KB RS3MB -T -T -T -T -T RS3DB RS3GB RS3JB RS3KB RS3MB UNIT Repetitive peak reverse voltage VRRM 200 400 600 800 1000 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 140 280 420 560 700 V VDC 200 400 600 800 1000 V DC blocking voltage Forward current Surge peak forward 8.3 ms at TA= 25°C current single half sinewave superimposed on 1.0 ms at T = 25°C A rated load per diode Junction temperature IF 3 A IFSM 80 A 224 A TJ -55 to +150 °C Storage temperature TSTG -55 to +150 °C 1 Version:A1905 PDF
Документация на RS3MB-TR5G 

Дата модификации: 10.05.2019

Размер: 486 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    05 июня 2024
    новость

    Продукция JIEJIE для устройств быстрой зарядки

    Зарядные устройства (ЗУ) выходной мощностью 18…100 Вт (а также 120 Вт и выше) с одним или несколькими выходами USB Type–A и Type–C, имеющие поддержку протоколов быстрой зарядки (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083–2022,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)