RS3MR7

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.3 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= RS3M (TSC)
 
DO214AB 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P- GR3M (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM)

Файлы 1

показать свернуть
RS3A - RS3M CREAT BY ART 3.0 AMP. Surface Mount Fast Recovery Rectifiers SMC/DO-214AB Features — For surface mounted application — Glass passivated junction chip — Built-in strain relief, ideal for automated placement — Plastic material used carries Underwriters Laboratory Classification 94V-0 — Fast switching for high efficiency — High temperature soldering: 260℃ / 10 seconds at terminals — Green compound with suffix "G" on packing code & prefix "G" on datecode Mechanical Data — Case: Molded plastic — Terminals: Pure tin plated, Lead free — Polarity: Indicated by cathode band — Packing: 16mm tape per EIA STD RS-481 — Weight: 0.21 grams Ordering Information (example) Part No. Package Packing RS3A SMC 850 / 7" REEL Packing code Packing code (Green) R7 R7G Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating at 25 ℃ ambient temperature unless otherwise specified. Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM RS 3A 50 Maximum RMS Voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC Blocking Voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum Average Forward Rectified Current IF(AV) 3 A Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) IFSM 100 A VF 1.3 V Parameter Symbol Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) @3A Maximum Reverse Current @ Rated VR TA=25 ℃ TA=125 ℃ RS 3B 100 RS 3D 200 RS 3G 400 RS 3J 600 RS 3K 800 RS 3M 1000 Unit V 10 IR uA 250 Maximum Reverse Recovery Time (Note 2) Trr Typical Junction Capacitance (Note 3) Cj 60 RθjA RθjL 50 15 TJ - 55 to + 150 O C - 55 to + 150 O C Typical Thermal Resistance Operating Temperature Range Storage Temperature Range TSTG 150 250 500 nS pF O C/W Note 1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Version:G13 PDF
Документация на RS3BR6 

RS3A SERIES_G13.xls

Дата модификации: 16.07.2013

Размер: 419.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.