S1DR3G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- S1DM2G (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
S1A - S1M Taiwan Semiconductor CREAT BY ART 1A, 50V - 1000V Surface Mount Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - Ideal for automated placement - Low forward voltage drop - High surge current capability - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition - AEC-Q101 qualified available MECHANICAL DATA Case: DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.06 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL S1A S1B S1D S1G S1J S1K S1M Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 °C TJ=125 °C 1 A 40 VF 30 1.1 A V 1 IR UNIT μA 50 Typical reverse recovery time (Note 2) trr 1.5 μs Typical junction capacitance (Note 3) CJ 12 pF Non-repetitive peak reverse avalanche energy at 25℃, IAS=1A, L=10mH ERSM 5 mJ Typical thermal resistance RθJL RθJA Operating junction temperature range Storage temperature range 30 85 27 75 °C/W TJ - 55 to +175 °C TSTG - 55 to +175 °C Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1411068 Version: P15 PDF
Документация на S1AR3G 

S1A SERIES_P15.xls

Дата модификации: 29.01.2015

Размер: 402.5 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    04 мая 2020
    статья

    Чип-резисторы Panasonic: надежность на первом месте

    Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) Компания Panasonic является одним из лидеров рынка резисторов. В статье дан обзор чип–резисторов производства компании Panasonic, в частности – серий с оптимизированными параметрами: прецизионных... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)