S1MFR3G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-220AA (SMP)
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
S1JF - S1MF Taiwan Semiconductor CREAT BY ART 1A, 600V - 1000V Surface Mount Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - Ideal for automated placement - Low forward voltage drop - Low leakage current - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 MECHANICAL DATA SMAF Case: SMAF MSL1: per J-STD-020 Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 35mg (approximately) en de d Molding compound: UL flammability classification rating 94V-0 PARAMETER mm MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) S1JF S1KF S1MF UNIT VRRM 600 800 1000 V VRMS 420 560 700 V VDC 600 800 1000 V SYMBOL Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage IF(AV) 1 A IFSM 30 A VF 1.1 V eco Maximum average forward rectified current Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load tR Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25°C TJ=125°C IR 5 50 μA trr 1.8 μs Typical junction capacitance (Note 3) CJ 6 pF RθJL RθJA 25 70 °C/W TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C No Typical reverse recovery time (Note 2) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Test conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC. Document Number: DS_D1511004 Version: A15 PDF
Документация на S1MFR3G 

S1JF SERIES_A15.xls

Дата модификации: 02.10.2018

Размер: 218.8 Кб

4 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    03 февраля 2025
    новость

    Антенны Neoway для сотовой связи, навигации и Wi-Fi

    Различное исполнение электронных блоков беспроводных устройств требует совершенно разных по конструктиву антенн. Основная тенденция в конструктиве многих блоков – стремление к их миниатюризации. При недостаточном количестве места разработчики... ...читать

    19 сентября 2024
    новость

    Антенны Neoway для GNSS, Wi-Fi и сотовой связи поступили на склад КОМПЭЛ

    Китайский производитель сотовых модулей Neoway расширяет ассортимент антенн для беспроводных устройств разных стандартов связи. На склад КОМПЭЛ поступили более 10 новых моделей антенн для внешней и внутренней установки, которые могут... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.