S3JHV6G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.15 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AB (SMC)
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
S3A - S3M Taiwan Semiconductor 3A, 50V - 1000V Surface Mount Rectifier FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● ● Glass passivated chip junction Ideal for automated placement Low forward voltage drop High current capability High surge current capability Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF(AV) 3 A VRRM 50 - 1000 V IFSM 100 A TJ MAX 150 °C Package DO-214AB (SMC) Configuration Single die APPLICATIONS ● ● ● ● Switching mode power supply (SMPS) Adapters Lighting application Converter MECHANICAL DATA ● ● ● ● Case: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) ● Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 ● Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 DO-214AB (SMC) ● Meet JESD 201 class 2 whisker test ● Polarity: As marked ● Weight: 0.21 g (approximately) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device S3A S3B S3D S3G S3J S3K S3M S3A S3B S3D S3G S3J S3K S3M UNIT Repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Forward current Surge peak forward current, 8.3 ms single half sine-wave uperimposed on rated load per diode Junction temperature IF(AV) 3 A IFSM 100 A TJ - 55 to +150 °C Storage temperature TSTG - 55 to +150 °C 1 Version:M1903 PDF
Документация на S3JHV6G 

Дата модификации: 31.05.2019

Размер: 440.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)