S5DR7G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 5 А, с падением напряжения 1.15 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
S5A - S5M Taiwan Semiconductor CREAT BY ART 5A, 50V - 1000V Surface Mount Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - Ideal for automated placement - Low forward voltage drop - High current capability - High surge current capability - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition - AEC-Q101 qualified DO-214AB (SMC) MECHANICAL DATA Case: DO-214AB (SMC) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.21 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL S5A S5B S5D S5G S5J S5K S5M Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 5 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 100 A VF 1.15 V PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) IF= 5 A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 °C TJ=125 °C IR 10 250 UNIT μA Typical reverse recovery time (Note 2) trr 1.5 μs Typical junction capacitance (Note 3) CJ 60 pF RθJL RθJA 13 47 °C/W TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1410020 Version: C15 PDF
Документация на S5AR7G 

S5A SERIES_C15.xls

Дата модификации: 23.03.2015

Размер: 385.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.